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氧化亞硅半連續(xù)氣相沉積真空爐


應(yīng)用領(lǐng)域:氧化亞硅半連續(xù)量產(chǎn)
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  • 產(chǎn)品描述
    • 商品名稱: 氧化亞硅半連續(xù)氣相沉積真空爐
    • 商品編號: 1096144096985763840

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    應(yīng)用領(lǐng)域:氧化亞硅半連續(xù)量產(chǎn)

    工藝描述:高真空脫氧,氣相沉積,自動研磨刮料、爐外收集??膳銩GV智能物流車

    型 號 裝料尺寸 裝載量 工作溫度 極限溫度 真空度 總功率 氣氛類別 工藝時長 設(shè)備重量
    MGB150-130VH Φ1500X1300 2.5T 1350℃ 1600℃ 0.5-2.5Pa 280KW Ar/N2 24H 21.5T

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    高溫低壓 CVD/CVI 爐

    高溫低壓 CVD 爐提供穩(wěn)定、可重復(fù)的條件,用于從氣相原料生產(chǎn)高性能材料,反應(yīng)溫度高達(dá) 2200°C。我們的 CVD(化學(xué)氣相沉積)和 CVI(化學(xué)氣相滲透)爐設(shè)計用于處理各種材料的沉積和滲透,包括碳化硅、熱解碳和氮化硼,每種材料都具有適合不同工業(yè)應(yīng)用的特定特性。

    化學(xué)氣相沉積 CVD 爐的特征

    • 冷壁真空爐設(shè)計采用不銹鋼內(nèi)外夾套,并帶有擋板水冷,方便裝卸。
    • 石墨電阻加熱熱區(qū)可承受惡劣的 CVD 環(huán)境。
    • 感應(yīng)加熱適用于碳 CVI 應(yīng)用或超高溫度。
    • 根據(jù)工件的尺寸、形狀和數(shù)量,可提供垂直頂部和底部裝載爐以及水平矩形配置。
    • 采用先進(jìn)的感應(yīng)加熱電源,最高溫度可達(dá) 2900°C。電阻加熱系統(tǒng)適用于較低溫度。
    • 真空泵系統(tǒng)包括機械泵/鼓風(fēng)機,以及可選的液環(huán)或干式泵系統(tǒng),它們與反饋回路控制的節(jié)流閥配合使用,可在很寬的容量范圍內(nèi)提供恒定的壓力。微粒過濾器可防止磨損。
    • 帶有工業(yè)可編程控制器的 PLC 或 PC 系統(tǒng),使用 Centorr/Vacuum Industries 為真空爐定制的 Rockwell Factory Talk View 軟件,具有廣泛的數(shù)據(jù)采集和遠(yuǎn)程操作功能。
    • 采用電子質(zhì)量流量控制的惰性氣體和工藝氣體系統(tǒng)為關(guān)鍵 CVD 應(yīng)用提供準(zhǔn)確性、可重復(fù)性和靈活性。多個噴嘴位置允許根據(jù)工作量調(diào)整流動模式。
    • 光學(xué)高溫計可最大程度地減少熱電偶暴露。耐腐蝕加熱壓力計提供絕對壓力傳感,不受氣體成分的影響。

     

    化學(xué)氣相沉積 / 化學(xué)氣相沉積 / 化學(xué)氣相沉積

    • 通過過程中每個步驟的緊密溫度梯度和自動溫度控制來保證最高的產(chǎn)品一致性。
    • 快速加熱步驟、無人值守操作、快速冷卻可實現(xiàn)最低成本操作。
    • 可編程控制提供了靈活性,可以成功處理不同的材料和零件尺寸,而無需耗時調(diào)整爐子條件。
    • 由于爐子結(jié)構(gòu)堅固且所有部件易于維修,因此可確保最低的維護(hù)成本。

    化學(xué)氣相沉積 CVD 爐可選功能

    • 頂部裝載型號采用電動蓋升降裝置,底部裝載型號采用升降爐膛裝置。
    • 廢水捕獲包括洗滌器或液環(huán)泵/干泵。
    • MTS、BCl3、H2、CH4 和 C3H8 的惰性氣體和工藝氣體管理和分配系統(tǒng)。
    • 石墨反應(yīng)釜用于容納工藝涂層,具有差動泵送功能。
    • 可提供工作旋轉(zhuǎn)裝置和氣體噴射槍。
    • 真空泵油過濾系統(tǒng)和真空惰性氣體吹掃管線。

     

    化學(xué)氣相沉積 CVD 爐應(yīng)用

    • 化學(xué)氣相沉積
    • 化學(xué)氣相滲透
    • 石墨凈化
    • 石墨化

關(guān)鍵詞:

產(chǎn)品咨詢

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